ユーウィン株式会社は半導体や電子部品で使用される高機能消耗品並びに製造設備をサポートします。

製品一覧

ダイシングテープ・バックグラインディングテープ

半導体や電子部品のダイシング工程やBG工程で使用される高機能テープ。
UVテープ、Non-UVテープなど用途に応じた提案が可能です。
・ダイシングテープ, DCテープ
・バックグラインドテープ, BGテープ
・デンカ エレグリップテープ
　

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帯電防止装置

中空糸気体透過膜を介し炭酸ガスを給気する方法で超純水の比抵抗値を制御してダイシング中の静電気による製品へのダメージを抑える帯電防止装置です。
・16L/min~最大116L/minの処理水容量を持つ機種までラインナップ
・インバーターポンプを内蔵し処理水圧力の調整が可能（専用機）
・DIC eFlowシリーズ

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半導体関連装置・部品

・テープマウンター（ダイシングテープ）
・テープラミネーター・テープ剥離機（BGテープ）
・UV照射機 （高圧水銀ランプ・LEDランプ・ブラックランプ）
・スピン洗浄機
・ウエハソーター
・既存装置の改造や保守部品などもご相談ください。

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ダイシングブレード

・ハブレスブレード　メタルボンド / レジンボンド / 電鋳ボンド
・ハブブレード
・ポリイミドレジンボンドブレード　CEPRAX BLADE
超耐熱樹脂ポリイミドをボンドに使用しています。このボンドは熱劣化が少なく剛性が非常に高いことにより耐磨耗性や形状維持に優れています。
CSP基盤/ガラス等/CMOS基盤/セラミックス/超硬等に有効です。
・新開発メタルボンドブレード　Gボンドブレード
独自の焼結技術により従来のメタルボンドでは持ち得なかった切れ味、レジンボンドと比べて長寿命の新ボンド
硬脆材料、超硬、鋼、金属材料の精密切断・溝入れ加工用として、チッピングを抑えた高品質な加工に適しています。

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グラインディングホイール

・シリコンウエハ用研削ホイール
・SiCウエハ用研削ホイール
ビトリファイドボンドを採用しCMP工程の負担軽減を狙った研削品質の実現を目指しています。#2000〜#30000までラインナップする事で低ダメージや極薄仕上げ研削など目的に応じた提案が可能です。評価をご希望の際はお問い合わせください。

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研磨・クリーニングシート　POLYMOND

研磨用ダイヤモンド砥粒と熱・薬品・変形に強いポリイミド樹脂を混ぜ合わせた「混練一体成形」の研磨・クリーニングシートです。
ガラス、セラミックス、超硬など硬脆材料研磨に最適

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ダイシング・バックグラインド・ウエハ再生 加工サービス

・研削（グラインディング）
・研磨（ドライポリッシュ・CMP）
・切断（ブレードダイシング・ステルスダイシング）
・ピックアップ〜トレイ詰め〜検査
・シリコン、SiC、ガラスなど各種素材に対応可能、少量からご相談ください。

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ダイシングセミナー

ダイサー実機を使用するダイシング講習です。アプリケーションを含めた装置オペレーションの習得を目指します。
・習得したいスキルに応じて講習内容や日数を調整可能です。
・2名　1日コース / 2名　2日コースなど

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各種ウエハ・ダミーパッケージ

SiC 4H N-type - 6 inch, 8 inch (Dummy / Production)
SiC 4H N-type Epi 650V - 6 inch, 8 inch (Dummy / Production)
ダイシング評価などで使用されるダミーパッケージ

SiC wafer 6inch n-type - Dummy Grade		Unit
I. Mechanical Specifications
Diameter	150 ± 0.2	mm
Surface Orientation	4.0 toward <11-20>±0.5	。
Primary Flat Orientation	<11-20> ± 5	。
Secondary Flat Orientation	NA	-
Primary Flat Length	47.5 ± 1.5	mm
Secondary Flat Length	NA	-
Surface Finish	Double Side Polish, Si Face CMP	-
Wafer Edge	Bevelling	-
Surface Roughness	Si-face Ra≤0.2 C-face Ra≤0.5	nm
Thickness	350.0 ± 25.0	µm
TTV	≤10	µm
LTV (10mm*10mm）	≤5	µm
Bow (absolute value)	≤40	µm
Warp	≤60	µm
II. Crystal Specification
Crystal Form	4H	-
Doping	n-type Nitrogen	-
Polytype	≤30% area	-
MPD	≤5.0	e.a/cm2
Metal Impurities	≤1E11	atoms/cm2
Hex Plates	≤5% area	-
Resistivity	0.015~0.028	Ohm.cm
Particle (size≥0.3um)	≤150	e.a
Scratch	Cumulative length ≤225	mm
Edge Exclusion	3	mm
Lasermark	C-face SEMI M12	-

SiC Epi wafer	6inch n-type 650V	8inch n-type 650V	Unit
I. Substrate Specifications
Doping	n-type Nitrogen		-
Resistivity	0.015~0.025		Ohm.cm
Diameter	150 ± 0.2		mm
Surface Orientation	4.0 toward <11-20>±0.2		。
Primary Flat Orientation	<11-20> ± 5		。
Secondary Flat Orientation	None		-
Primary Flat Length	47.5 ± 1.5		mm
Secondary Flat Length	None		-
Surface Finish	Double Side Polish, Si Face CMP		-
Thickness	350.0 ± 25.0		μm
II. Buffer Layer Specification
Doping	n-type Nitrogen	n-type Nitrogen	-
Thickness	1	1	μm
Doping concentration	1x1018	1x1018	cm³
III. Epitaxy Layer Specifiction
Doping	n-type Nitrogen	n-type Nitrogen	-
Thickness	5 ± 10%	5 ± 10%	μm
Thickness uniformity	3%	4%	σ/mean
Doping concentration	1x1016 ± 15%	1x1016 ± 15%	cm³
Doping uniformity	6%	8%	σ/mean
Total usable area	≥95% (2mmx2mm)	≥90% (2mmx2mm)	-
Killer defect density	1	1.5	/cm²
Post-epi Bow (absolute value)	≤30	≤35	μm
Post-epi Warp	≤45	≤50	μm
Post-epi TTV	≤7	≤10	μm
Post-epi LTV	≤3 (10mmx10mm)	≤5 (10mmx10mm)	μm
Surface Roughness	Si-face Ra≤0.5	Si-face Ra≤0.5	nm
Metal Impurities	1x1011	1x1011	atoms/cm²
Scratch	Cumulative length ≤75	Cumulative length ≤100	mm
Lasermark	C-face SEMI M12	C-face SEMI M12	-